Centres accepteurs et donneurs dans les semi-conducteurs A2IXVI et AIBIIIXVI2 (où AI-Cu, Ag; BIII-Al, Ga, In; XVI-S, Se, Te)DRABKIN, I. A; MOJZHES, B. YA.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 9, pp 1715-1718, issn 0015-3222Article

Composante électronique de la conductivité électrique des électrolytes solidesDRABKIN, I. A; MOJZHES, B. YA.Fizika tverdogo tela. 1987, Vol 29, Num 1, pp 287-289, issn 0367-3294Article

Matériaux supraconducteurs à paires d'électrons localisées sur les ions du réseauMOJZHES, B. YA; DRABKIN, I. A.Fizika tverdogo tela. 1983, Vol 25, Num 7, pp 1974-1982, issn 0367-3294Article

Bulk Nanostructured Polycrystalline p-Bi-Sb-Te Thermoelectrics Obtained by Mechanical Activation Method with Hot PressingBULAT, L. P; BUBLIK, V. T; DRABKIN, I. A et al.Journal of electronic materials. 2010, Vol 39, Num 9, pp 1650-1653, issn 0361-5235, 4 p.Conference Paper

Energie de polarisation d'un ion hétérovalent et disproportionnation de charge dans les cristaux ioniquesDRABKIN, I. A; MOJZHES, B. YA; SUPRUN, S. G et al.Fizika tverdogo tela. 1985, Vol 27, Num 7, pp 2045-2051, issn 0367-3294Article

Niveau donneur à deux électrons dans le tellurure de germaniumDRABKIN, I. A; KVYATKOVSKIJ, O. E; MOJZHES, B. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 1, pp 188-191, issn 0015-3222Article

Transition supraconductrice de SnTe dopé par l'indiumBUSHMARINA, G. S; DRABKIN, I. A; KOMPANIETS, V. V et al.Fizika tverdogo tela. 1986, Vol 28, Num 4, pp 1094-1099, issn 0367-3294Article

Structure and Transport Properties of Bulk Nanothermoelectrics Based on BixSb2―xTe3 Fabricated by SPS MethodBULAT, L. P; DRABKIN, I. A; BUBLIK, V. T et al.Journal of electronic materials. 2013, Vol 42, Num 7, pp 2110-2113, issn 0361-5235, 4 p.Conference Paper

Electrophysical properties of indium-doped bismuth tellurideZHITINSKAYA, M. K; NEMOV, S. A; RAVICH, YU. I et al.Semiconductors (Woodbury, N.Y.). 1993, Vol 27, Num 10, pp 952-954, issn 1063-7826Article

Superconducting properties of the SnTe-PbTe system doped with indiumBUSHMARINA, G. S; DRABKIN, I. A; MASHOVETS, D. V et al.Physica. B, Condensed matter. 1991, Vol 169, Num 1-4, pp 687-688, issn 0921-4526, 2 p.Conference Paper

Structures à barrière superficielle avec une couche intermédiaire au Pb0,77Sn0,23TeGRISHINA, T. A; BERCHENKO, N. N; GODERZISHVILI, G. I et al.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1987, Vol 57, Num 12, pp 2355-2360, issn 0044-4642Article

Particularités de l'action dopante de In dans SnTeBUSHMARINA, G. S; GRUZINOV, B. F; DRABKIN, I. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 12, pp 2203-2208, issn 0015-3222Article